Hersteller Produktnummer:
NTE102A
Product Overview
Hersteller:
NTE Electronics, Inc
Teilenummer:
NTE102A-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 1A TO1
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 1 A 650 mW Through Hole TO-1
Inventar:
19 Stück Neu Original Auf Lager
12922323
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
NTE102A Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Verpackung
Bag
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
170mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
25µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
69 @ 300mA, 0V
Leistung - Max
650 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
90°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-1-3 Metal Can
Gerätepaket für Lieferanten
TO-1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2368-NTE102A
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
