Hersteller Produktnummer:
IRF730
Product Overview
Hersteller:
NTE Electronics, Inc
Teilenummer:
IRF730-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 400 V 5.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
591 Stück Neu Original Auf Lager
12945249
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IRF730 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bag
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
400 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
700 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
74W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2368-IRF730
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
9999.99.9999
DIGI-Zertifizierung
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