Hersteller Produktnummer:
2N3417
Product Overview
Hersteller:
NTE Electronics, Inc
Teilenummer:
2N3417-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 50V 0.5A TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 500 mA 625 mW Through Hole TO-92-3
Inventar:
1678 Stück Neu Original Auf Lager
12922366
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2N3417 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Verpackung
Bag
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 3mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
180 @ 2mA, 4.5V
Leistung - Max
625 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
20
Andere Namen
2368-2N3417
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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