Hersteller Produktnummer:
PSMN7R8-120ESQ
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PSMN7R8-120ESQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 120 V 70A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
12829270
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PSMN7R8-120ESQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
120 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.9mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
167 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9473 pF @ 60 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
349W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I2PAK
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
PSMN7R8
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
1727-1509
934067449127
568-10989-5
2156-PSMN7R8-120ESQ-1727
568-10989-5-DG
PSMN7R8-120ESQ-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPI076N12N3GAKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
498
TEILNUMMER
IPI076N12N3GAKSA1-DG
Einheitspreis
1.44
ERSATZART
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