Hersteller Produktnummer:
PSMN6R9-100YSFX
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PSMN6R9-100YSFX-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 100A LFPAK56
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 238W Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventar:
1278 Stück Neu Original Auf Lager
12830137
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PSMN6R9-100YSFX Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Cut Tape (CT)
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
50.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
238W
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
LFPAK56, Power-SO8
Paket / Koffer
SC-100, SOT-669
Basis-Produktnummer
PSMN6R9
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
1727-PSMN6R9-100YSFQCT
PSMN6R9-100YSFQ
934071219115
1727-PSMN6R9-100YSFXDKR
1727-PSMN6R9-100YSFXCT
PSMN6R9-100YSFX-DG
1727-PSMN6R9-100YSFQDKR
5202-PSMN6R9-100YSFXTR
PSMN6R9-100YSFQ-DG
1727-PSMN6R9-100YSFQTR
1727-PSMN6R9-100YSFXTR
1727-PSMN6R9-100YSFQCT-DG
1727-PSMN6R9-100YSFQTR-DG
1727-PSMN6R9-100YSFQDKR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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