Hersteller Produktnummer:
PSMN4R8-100PSEQ
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PSMN4R8-100PSEQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 120A (Tj) 405W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
5000 Stück Neu Original Auf Lager
12828391
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PSMN4R8-100PSEQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
278 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
14400 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
405W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
PSMN4R8
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
568-12856-DG
PSMN4R8-100PSEQ-DG
1727-2471
5202-PSMN4R8-100PSEQTR
568-12856
934068633127
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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