Hersteller Produktnummer:
PSMN3R7-100BSEJ
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PSMN3R7-100BSEJ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 120A (Ta) 405W (Ta) Surface Mount D2PAK
Inventar:
16941 Stück Neu Original Auf Lager
12831264
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PSMN3R7-100BSEJ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.95mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
246 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
16370 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
405W (Ta)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
PSMN3R7
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
1727-PSMN3R7-100BSEJCT
934660326118
PSMN3R7-100BSEJ-DG
1727-PSMN3R7-100BSEJTR
1727-PSMN3R7-100BSEJDKR
5202-PSMN3R7-100BSEJTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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