Hersteller Produktnummer:
PSMN2R6-60PSQ
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PSMN2R6-60PSQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 150A (Tc) 326W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
53 Stück Neu Original Auf Lager
12829132
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PSMN2R6-60PSQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7629 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
326W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
PSMN2R6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
2166-PSMN2R6-60PSQ-1727
934067504127
568-10165-5
PSMN2R660PSQ
5202-PSMN2R6-60PSQTR
1727-1057
568-10165-5-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDP020N06B-F102
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
1705
TEILNUMMER
FDP020N06B-F102-DG
Einheitspreis
2.63
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