Hersteller Produktnummer:
PSMN2R2-40YSDX
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PSMN2R2-40YSDX-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 180A (Ta) 166W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventar:
1480 Stück Neu Original Auf Lager
13270264
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PSMN2R2-40YSDX Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
180A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.6V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5130 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
166W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
LFPAK56, Power-SO8
Paket / Koffer
SC-100, SOT-669
Basis-Produktnummer
PSMN2R2
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
1727-PSMN2R2-40YSDXCT
1727-PSMN2R2-40YSDXTR
934660734115
1727-PSMN2R2-40YSDXDKR
5202-PSMN2R2-40YSDXTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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