Hersteller Produktnummer:
PSMN2R0-100SSFJ
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PSMN2R0-100SSFJ-DG
Beschreibung:
NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 267A (Ta) 341W (Ta) Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
Inventar:
1900 Stück Neu Original Auf Lager
12993035
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
PSMN2R0-100SSFJ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
267A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
7V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.07mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
242 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
16140 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
341W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
LFPAK88 (SOT1235)
Paket / Koffer
SOT-1235
Basis-Produktnummer
PSMN2R0
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
5202-PSMN2R0-100SSFJTR
934661572118
1727-PSMN2R0-100SSFJDKR
1727-PSMN2R0-100SSFJTR
1727-PSMN2R0-100SSFJCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
DMN4060SVTQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V TSOT26 T&R
DMTH47M2LFVW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333
DMTH47M2LFVW-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333
