Hersteller Produktnummer:
PSMN1R2-30YLDX
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PSMN1R2-30YLDX-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 194W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventar:
10060 Stück Neu Original Auf Lager
12831809
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PSMN1R2-30YLDX Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.24mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4616 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
194W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
LFPAK56, Power-SO8
Paket / Koffer
SC-100, SOT-669
Basis-Produktnummer
PSMN1R2
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
PSMN1R2-30YLDX-DG
934068235115
PSMN0R9-30YLD,115
568-11556-1
568-11556-2
5202-PSMN1R2-30YLDXTR
1727-1860-1
1727-1860-2
568-11556-2-DG
568-11556-1-DG
1727-1860-6
568-11556-6-DG
568-11556-6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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