Hersteller Produktnummer:
PSMN057-200P,127
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PSMN057-200P,127-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 39A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12828001
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PSMN057-200P,127 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tube
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
57mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3750 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
PSMN057
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
568-6641
568-6641-5-DG
PSMN057-200P
934056421127
1727-5271
PSMN057-200P,127-DG
5202-PSMN057-200P,127TR
568-6641-DG
PSMN057-200P-DG
568-6641-5
2156-PSMN057-200P,127-1727
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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