Hersteller Produktnummer:
PSMN018-100PSFQ
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PSMN018-100PSFQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 53A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 53A (Ta) 111W (Ta) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12829467
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PSMN018-100PSFQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
53A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
7V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1482 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
111W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
934068748127
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NTP6412ANG
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
114
TEILNUMMER
NTP6412ANG-DG
Einheitspreis
0.86
ERSATZART
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