Hersteller Produktnummer:
PSMN005-75P,127
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PSMN005-75P,127-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 75 V 75A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12832609
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PSMN005-75P,127 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tube
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
75 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8250 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
230W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
PSMN005
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
PSMN005-75P
5202-PSMN005-75P,127TR
934057042127
PSMN005-75P-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFB3307ZPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1731
TEILNUMMER
IRFB3307ZPBF-DG
Einheitspreis
0.99
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