PRMH2Z
Hersteller Produktnummer:

PRMH2Z

Product Overview

Hersteller:

Nexperia USA Inc.

Teilenummer:

PRMH2Z-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS 2NPN 50V DFN1412-6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 480mW Surface Mount DFN1412-6

Inventar:

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PRMH2Z Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
47kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Frequenz - Übergang
230MHz
Leistung - Max
480mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-XFDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1412-6
Basis-Produktnummer
PRMH2

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PRMH2Z
HTML-Datenblatt
PRMH2Z-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
PRMH2Z-DG
934070177147
5202-PRMH2ZTR
2156-PRMH2Z-NEX
1727-7398-1
1727-7398-2
NEXNEXPRMH2Z
1727-7398-6

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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