Hersteller Produktnummer:
PQMB11Z
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PQMB11Z-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS 2PNP DFN1010B-6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 180MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6
Inventar:
12827276
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EINREICHEN
PQMB11Z Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Frequenz - Übergang
180MHz
Leistung - Max
230mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-XFDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1010B-6
Basis-Produktnummer
PQMB11
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
1727-2708-2
568-13229-6-DG
5202-PQMB11ZTR
1727-2708-1
568-13229-1-DG
568-13229-2-DG
1727-2708-6
2156-PQMB11Z
568-13229-1
568-13229-2
PQMB11Z-DG
934069743147
568-13229-6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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