Hersteller Produktnummer:
PMV65XP/MIR
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PMV65XP/MIR-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 2.8A (Ta) 480mW (Ta), 4.17W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Inventar:
12831152
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PMV65XP/MIR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
74mOhm @ 2.8A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
744 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
480mW (Ta), 4.17W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
934068504215
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PMV65XP,215
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
276273
TEILNUMMER
PMV65XP,215-DG
Einheitspreis
0.06
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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