Hersteller Produktnummer:
PMV30UN2R
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PMV30UN2R-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 490mW (Ta), 5W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Inventar:
148749 Stück Neu Original Auf Lager
12830077
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PMV30UN2R Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.2V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 4.2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
655 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
490mW (Ta), 5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
PMV30
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
568-12591-2-DG
568-12591-6
568-12591-1-DG
1727-2305-2
568-12591-2
1727-2305-1
568-12591-1
568-12591-6-DG
5202-PMV30UN2RTR
1727-2305-6
934068491215
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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