Hersteller Produktnummer:
PMV100EPAR
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PMV100EPAR-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 2.2A (Ta) 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Inventar:
11488 Stück Neu Original Auf Lager
12939054
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PMV100EPAR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
616 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
PMV100
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
1727-PMV100EPARDKR
5202-PMV100EPARTR
934661097215
1727-PMV100EPARCT
1727-PMV100EPARTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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