Hersteller Produktnummer:
PMPB85ENEAX
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PMPB85ENEAX-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 3A DFN2020MD-6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 3A (Ta) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
Inventar:
35046 Stück Neu Original Auf Lager
12828099
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
PMPB85ENEAX Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.7V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
305 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q100
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DFN2020MD-6
Paket / Koffer
6-UDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
PMPB85
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
1727-8338-6
PMPB85ENEAX-DG
5202-PMPB85ENEAXTR
934067478115
2156-PMPB85ENEAX
1727-8338-1
1727-8338-2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
PMV33UPE,215
MOSFET P-CH 20V 4.4A TO236AB
BUK6610-75C,118
MOSFET N-CH 75V 78A D2PAK
BUK963R1-40E,118
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
