Hersteller Produktnummer:
PMPB215ENEAX
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PMPB215ENEAX-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 1.9A DFN2020MD-6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 1.9A (Ta) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
Inventar:
18500 Stück Neu Original Auf Lager
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PMPB215ENEAX Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
230mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.7V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
215 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DFN2020MD-6
Paket / Koffer
6-UDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
PMPB215
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
1727-8340-2
1727-8340-1
934067477115
1727-8340-6
5202-PMPB215ENEAXTR
PMPB215ENEAX-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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