Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
PMGD175XNEAX
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PMGD175XNEAX-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 900mA (Ta) 390mW Surface Mount 6-TSSOP
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12831939
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
PMGD175XNEAX Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Nexperia
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
900mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
252mOhm @ 900mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.25V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.65nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
81pF @ 15V
Leistung - Max
390mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSSOP
Basis-Produktnummer
PMGD175
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
934070692115
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMN3190LDW-7
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
16105
TEILNUMMER
DMN3190LDW-7-DG
Einheitspreis
0.05
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
PHN210T,118
MOSFET 2N-CH 30V 8SO
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
BSL308PEH6327XTSA1
MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
NX3008NBKV,115
MOSFET 2N-CH 30V 400MA SOT666