Hersteller Produktnummer:
PMBT5551,235
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PMBT5551,235-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 300 mA 300MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Inventar:
24423 Stück Neu Original Auf Lager
12828918
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PMBT5551,235 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
300 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
160 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Leistung - Max
250 mW
Frequenz - Übergang
300MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Basis-Produktnummer
PMBT5551
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
1727-8536-1
1727-8536-2
PMBT5551 /T3
PMBT5551,235-DG
5202-PMBT5551,235TR
PMBT5551 /T3-DG
933821840235
2156-PMBT5551,235
1727-8536-6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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