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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
PIMN31PAS-QX
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PIMN31PAS-QX-DG
Beschreibung:
PIMN31PAS-Q/SOT1118/HUSON6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased 50V 500mA 210MHz 360mW Surface Mount DFN2020D-6
Inventar:
3000 Stück Neu Original Auf Lager
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PIMN31PAS-QX Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
1kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
210MHz
Leistung - Max
360mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-UDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
DFN2020D-6
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
1727-PIMN31PAS-QXDKR
PIMN31PAS-Q
1727-PIMN31PAS-QXTR
934666058115
1727-PIMN31PAS-QXCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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