Hersteller Produktnummer:
PHP18NQ11T,127
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PHP18NQ11T,127-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 110V 18A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 110 V 18A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
4954 Stück Neu Original Auf Lager
12827635
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PHP18NQ11T,127 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tube
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
110 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
633 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
79W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
PHP18NQ11
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
568-5755-5-DG
PHP18NQ11T-DG
568-5755-DG
568-5755
1727-4638-DG
568-5755-5
5202-PHP18NQ11T,127TR
PHP18NQ11T
934058144127
PHP18NQ11T127
1727-4638
1727-PHP18NQ11T,127
PHP18NQ11T,127-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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