PEMH7,115
Hersteller Produktnummer:

PEMH7,115

Product Overview

Hersteller:

Nexperia USA Inc.

Teilenummer:

PEMH7,115-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666

Inventar:

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PEMH7,115 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Nexperia
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
4.7kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Frequenz - Übergang
-
Leistung - Max
300mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-666
Basis-Produktnummer
PEMH7

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PEMH7,115
HTML-Datenblatt
PEMH7,115-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
4,000
Andere Namen
PEMH7 T/R
934056863115
PEMH7 T/R-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
RN4990FE,LF(CT
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
RN4990FE,LF(CT-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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Teilenummer
NSBC143TDXV6T1G
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onsemi
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0
TEILNUMMER
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Einheitspreis
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RN1910FE,LF(CT-DG
Einheitspreis
0.02
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
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cr
certification_015
certification_08
esd
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