PEMH2,315
Hersteller Produktnummer:

PEMH2,315

Product Overview

Hersteller:

Nexperia USA Inc.

Teilenummer:

PEMH2,315-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666

Inventar:

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PEMH2,315 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
47kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Frequenz - Übergang
-
Leistung - Max
300mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-666
Basis-Produktnummer
PEMH2

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PEMH2,315
HTML-Datenblatt
PEMH2,315-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
8,000
Andere Namen
NEXNEXPEMH2,315
5202-PEMH2,315TR
934056868315
2156-PEMH2,315-NEX

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
EMH2T2R
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
87850
TEILNUMMER
EMH2T2R-DG
Einheitspreis
0.08
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cr
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