PEMD4,115
Hersteller Produktnummer:

PEMD4,115

Product Overview

Hersteller:

Nexperia USA Inc.

Teilenummer:

PEMD4,115-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666

Inventar:

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PEMD4,115 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Transistor-Typ
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Frequenz - Übergang
-
Leistung - Max
300mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-666
Basis-Produktnummer
PEMD4

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PEMD4,115
HTML-Datenblatt
PEMD4,115-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
4,000
Andere Namen
PEMD4 T/R-DG
5202-PEMD4,115TR
934056873115
PEMD4 T/R
PEMD4,115-DG
2156-PEMD4,115
1727-7360-6
1727-7360-1
1727-7360-2

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
NSBC114TDXV6T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
6880
TEILNUMMER
NSBC114TDXV6T1G-DG
Einheitspreis
0.05
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