Hersteller Produktnummer:
PEMB11,115
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PEMB11,115-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 180MHz 300mW Surface Mount SOT-666
Inventar:
8520 Stück Neu Original Auf Lager
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PEMB11,115 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Frequenz - Übergang
180MHz
Leistung - Max
300mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-666
Basis-Produktnummer
PEMB11
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
568-8593-2
1727-6498-1
568-8593-1
568-8593-6
1727-6498-2
568-8593-1-DG
1727-6498-6
568-8593-2-DG
PEMB11,115-DG
5202-PEMB11,115TR
568-8593-6-DG
PEMB11115
PEMB11 T/R-DG
934056864115
PEMB11 T/R
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NSVBA114EDXV6T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
NSVBA114EDXV6T1G-DG
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