PEMB11,115
Hersteller Produktnummer:

PEMB11,115

Product Overview

Hersteller:

Nexperia USA Inc.

Teilenummer:

PEMB11,115-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 180MHz 300mW Surface Mount SOT-666

Inventar:

8520 Stück Neu Original Auf Lager
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PEMB11,115 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Frequenz - Übergang
180MHz
Leistung - Max
300mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-666
Basis-Produktnummer
PEMB11

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
4,000
Andere Namen
568-8593-2
1727-6498-1
568-8593-1
568-8593-6
1727-6498-2
568-8593-1-DG
1727-6498-6
568-8593-2-DG
PEMB11,115-DG
5202-PEMB11,115TR
568-8593-6-DG
PEMB11115
PEMB11 T/R-DG
934056864115
PEMB11 T/R

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
NSVBA114EDXV6T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
NSVBA114EDXV6T1G-DG
Einheitspreis
0.05
ERSATZART
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Teilenummer
NSBA114YDXV6T1G
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