Hersteller Produktnummer:
PDTD113EQAZ
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PDTD113EQAZ-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 210 MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3
Inventar:
12830902
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EINREICHEN
PDTD113EQAZ Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
1 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
1 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
33 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
210 MHz
Leistung - Max
325 mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
3-XDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1010D-3
Basis-Produktnummer
PDTD113
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
5202-PDTD113EQAZTR
NEXNXPPDTD113EQAZ
2156-PDTD113EQAZ-NEX
934069263147
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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