PDTC123JQAZ
Hersteller Produktnummer:

PDTC123JQAZ

Product Overview

Hersteller:

Nexperia USA Inc.

Teilenummer:

PDTC123JQAZ-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 MHz 280 mW Surface Mount DFN1010D-3

Inventar:

12829299
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PDTC123JQAZ Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Frequenz - Übergang
230 MHz
Leistung - Max
280 mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
3-XDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1010D-3
Basis-Produktnummer
PDTC123

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
934069138147
5202-PDTC123JQAZTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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