PDTC115TMB,315
Hersteller Produktnummer:

PDTC115TMB,315

Product Overview

Hersteller:

Nexperia USA Inc.

Teilenummer:

PDTC115TMB,315-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3

Inventar:

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PDTC115TMB,315 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
100 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Frequenz - Übergang
230 MHz
Leistung - Max
250 mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q100
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
3-XFDFN
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1006B-3
Basis-Produktnummer
PDTC115

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PDTC115TMB,315
HTML-Datenblatt
PDTC115TMB,315-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
10,000
Andere Namen
934065952315
5202-PDTC115TMB,315TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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