Hersteller Produktnummer:
PDTB123YT,215
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PDTB123YT,215-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 500 mA 250 mW Surface Mount TO-236AB
Inventar:
50725 Stück Neu Original Auf Lager
12832209
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EINREICHEN
PDTB123YT,215 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Leistung - Max
250 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Basis-Produktnummer
PDTB123
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
PDTB123YT T/R-DG
568-11243-6-DG
568-11243-2
1727-1703-6
1727-1703-2
568-11243-6
1727-1703-1
934058983215
2166-PDTB123YT,215-1727
568-11243-1
568-11243-1-DG
PDTB123YT,215-DG
568-11243-2-DG
PDTB123YT T/R
5202-PDTB123YT,215TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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