Hersteller Produktnummer:
PDTA123JTVL
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PDTA123JTVL-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount TO-236AB
Inventar:
6006 Stück Neu Original Auf Lager
12832392
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PDTA123JTVL Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Leistung - Max
250 mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q100
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Basis-Produktnummer
PDTA123
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
934055395235
1727-8520-6
1727-8520-1
5202-PDTA123JTVLTR
PDTA123JTVL-DG
1727-8520-2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DTA123JCAT116
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
285
TEILNUMMER
DTA123JCAT116-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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