Hersteller Produktnummer:
PDTA115EMB,315
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PDTA115EMB,315-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.02A 3DFN
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 20 mA 180 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3
Inventar:
12827877
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EINREICHEN
PDTA115EMB,315 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
20 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
100 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
100 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Frequenz - Übergang
180 MHz
Leistung - Max
250 mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q100
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
3-XFDFN
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1006B-3
Basis-Produktnummer
PDTA115
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
934065934315
5202-PDTA115EMB,315TR
2156-PDTA115EMB,315-1727
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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