Hersteller Produktnummer:
PDTA115EM,315
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PDTA115EM,315-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 20 mA 250 mW Surface Mount SOT-883
Inventar:
12827332
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PDTA115EM,315 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
20 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
100 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
100 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Leistung - Max
250 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-101, SOT-883
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-883
Basis-Produktnummer
PDTA115
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
1727-PDTA115EM,315CT
1727-3010-1
5202-PDTA115EM,315TR
1727-3010-2
PDTA115EM T/R
568-2108-2-DG
568-2108-1-DG
1727-PDTA115EM,315TR
568-2108-1
934058284315
568-2108-2
1727-3010-1-DG
1727-3010-2-DG
1727-PDTA115EM,315DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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