PDTA114ET,235
Hersteller Produktnummer:

PDTA114ET,235

Product Overview

Hersteller:

Nexperia USA Inc.

Teilenummer:

PDTA114ET,235-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount TO-236AB

Inventar:

9694 Stück Neu Original Auf Lager
12830144
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PDTA114ET,235 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Leistung - Max
250 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Basis-Produktnummer
PDTA114

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
10,000
Andere Namen
1727-PDTA114ET,235DKR
PDTA114ET,235-DG
1727-PDTA114ET,235CT
5202-PDTA114ET,235TR
1727-PDTA114ET,235TR
934031060235

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
MUN2111T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
11729
TEILNUMMER
MUN2111T1G-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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Teilenummer
MMUN2114LT3G
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