PBSS5230T-QR
Hersteller Produktnummer:

PBSS5230T-QR

Product Overview

Hersteller:

Nexperia USA Inc.

Teilenummer:

PBSS5230T-QR-DG

Beschreibung:

PBSS5230T-Q/SOT23/TO-236AB
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 2 A 200MHz 300 mW Surface Mount TO-236AB

Inventar:

Angebot Anfrage Online
12991037
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

PBSS5230T-QR Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
30 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
350mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
300 @ 100mA, 2V
Leistung - Max
300 mW
Frequenz - Übergang
200MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
5202-PBSS5230T-QRTR
1727-PBSS5230T-QRTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
nexperia

BC55PAS-QX

BC55PAS-Q/SOT1061/HUSON3

microchip-technology

JANTXV2N5154U3/TR

TRANS NPN 80V 0.001A U3

nexperia

PBHV8540T-QR

PBHV8540T-Q/SOT23/TO-236AB

nexperia

BF821-QR

BF821-Q/SOT23/TO-236AB