Hersteller Produktnummer:
PBSS4350SPN,115
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PBSS4350SPN,115-DG
Beschreibung:
TRANS NPN/PNP 50V 2.7A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 2.7A 750mW Surface Mount 8-SO
Inventar:
12829831
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PBSS4350SPN,115 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN, PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2.7A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
340mV @ 270mA, 2.7A / 370mV @ 270mA, 2.7A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
300 @ 1A, 2V / 180 @ 1A, 2V
Leistung - Max
750mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
PBSS4350
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
568-7301-6
568-7301-2
PBSS4350SPN115
568-7301-1
934061033115
PBSS4350SPN T/R
PBSS4350SPN T/R-DG
1727-5754-1
568-7301-6-DG
568-7301-2-DG
1727-5754-6
PBSS4350SPN,115-DG
1727-5754-2
568-7301-1-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NSS40302PDR2G
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onsemi
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0
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NSS40302PDR2G-DG
Einheitspreis
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