PBRP123YT-QR
Hersteller Produktnummer:

PBRP123YT-QR

Product Overview

Hersteller:

Nexperia USA Inc.

Teilenummer:

PBRP123YT-QR-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40 V 600 mA 250 mW Surface Mount TO-236AB

Inventar:

13002175
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

PBRP123YT-QR Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
40 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
230 @ 300mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
750mV @ 6mA, 600mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
250 mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Basis-Produktnummer
PBRP123

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
5202-PBRP123YT-QRTR
1727-PBRP123YT-QRTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
nexperia

PDTC123JT-QR

TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB

nexperia

PDTC144ET-QVL

TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB

nexperia

PDTA114ET-QR

TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB

nexperia

PDTC124ET-QVL

TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB