Hersteller Produktnummer:
NHDTA114ETR
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
NHDTA114ETR-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 80V TO236AB
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 80 V 100 mA 150 MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Inventar:
32960 Stück Neu Original Auf Lager
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EINREICHEN
NHDTA114ETR Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Frequenz - Übergang
150 MHz
Leistung - Max
250 mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Basis-Produktnummer
NHDTA114
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
1727-NHDTA114ETR
1727-NHDTA114EDKR
5202-NHDTA114ETR
1727-NHDTA114ECT
934661359215
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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