Hersteller Produktnummer:
GAN063-650WSAQ
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
GAN063-650WSAQ-DG
Beschreibung:
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 34.5A (Ta) 143W (Ta) Through Hole TO-247-3
Inventar:
582 Stück Neu Original Auf Lager
12830466
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
GAN063-650WSAQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
34.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1000 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
143W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
GAN063
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
1727-8711-6INACTIVE
5202-GAN063-650WSAQTR
1727-8711-6-DG
1727-8711-1INACTIVE
1727-8711-2-DG
1727-8711-1-DG
1727-8711-1
1727-8711-2
2156-GAN063-650WSAQ
GAN063-650WSA
1727-8711-6
1727-GAN063-650WSAQ
934660022127
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
PSMN6R0-30YLB,115
MOSFET N-CH 30V 71A LFPAK56
BUK7277-55A,118
MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
PMZ350UPEYL
MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
