Hersteller Produktnummer:
GAN039-650NTBZ
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
GAN039-650NTBZ-DG
Beschreibung:
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 58.5A (Ta) 250W (Ta) Surface Mount CCPAK1212i
Inventar:
13259569
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GAN039-650NTBZ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
58.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
39mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.6V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1980 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
CCPAK1212i
Paket / Koffer
12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
1727-GAN039-650NTBZTR
1727-GAN039-650NTBZCT
1727-GAN039-650NTBZDKR
934662153139
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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