Hersteller Produktnummer:
BUK7C08-55AITE,118
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
BUK7C08-55AITE,118-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 272W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventar:
12830319
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BUK7C08-55AITE,118 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
-
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4200 pF @ 25 V
FET-Funktion
Current Sensing
Verlustleistung (max.)
272W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK-7
Paket / Koffer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
BUK7C08-55AITE /T3-DG
BUK7C08-55AITE /T3
934057948118
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPB180N06S4H1ATMA2
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
6672
TEILNUMMER
IPB180N06S4H1ATMA2-DG
Einheitspreis
1.78
ERSATZART
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