Hersteller Produktnummer:
BSH205G2AR
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
BSH205G2AR-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 2.6A (Ta) 610mW (Ta), 10W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Inventar:
27550 Stück Neu Original Auf Lager
12948310
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BSH205G2AR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
118mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
421 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
610mW (Ta), 10W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
BSH205
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
1727-BSH205G2ARDKR
934661354215
1727-BSH205G2ARTR
1727-BSH205G2ARCT
5202-BSH205G2ARTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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