Hersteller Produktnummer:
BSH111BKR
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
BSH111BKR-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 210mA (Ta) 302mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
Inventar:
24240 Stück Neu Original Auf Lager
12830749
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BSH111BKR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
210mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
30 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
302mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
BSH111
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
568-12637-2
568-12637-6-DG
568-12637-6
1727-2340-6
2156-BSH111BKRTR
568-12637-2-DG
5202-BSH111BKRTR
1727-2340-2
934068056215
1727-2340-1
568-12637-1-DG
568-12637-1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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