BSH111,215
Hersteller Produktnummer:

BSH111,215

Product Overview

Hersteller:

Nexperia USA Inc.

Teilenummer:

BSH111,215-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 55V 335MA TO236AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 335mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB

Inventar:

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BSH111,215 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
-
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
335mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
40 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
830mW (Tc)
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
BSH111,215
HTML-Datenblatt
BSH111,215-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
BSH111215
BSH111 T/R
934056036215
568-1657-6
568-1657-1
568-1657-2

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
MMBF170
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
8924
TEILNUMMER
MMBF170-DG
Einheitspreis
0.04
ERSATZART
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cr
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