Hersteller Produktnummer:
AN1L3N
Product Overview
Hersteller:
NEC Corporation
Teilenummer:
AN1L3N-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A TO92
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Through Hole TO-92
Inventar:
56894 Stück Neu Original Auf Lager
12931581
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AN1L3N Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
200mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Leistung - Max
250 mW
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,159
Andere Namen
RENNECAN1L3N
2156-AN1L3N
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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