Hersteller Produktnummer:
JANTXV2N6766
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
JANTXV2N6766-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 30A TO3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
Inventar:
12924456
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JANTXV2N6766 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
4W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Military
Qualifikation
MIL-PRF-19500/543
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3
Paket / Koffer
TO-204AE
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
150-JANTXV2N6766
JANTXV2N6766-DG
JANTXV2N6766-MIL
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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