Hersteller Produktnummer:
JANTX2N6790
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
JANTX2N6790-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 3.5A TO39
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 3.5A (Tc) 800mW (Tc) Through Hole TO-39
Inventar:
12924129
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JANTX2N6790 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
800mW (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Military
Qualifikation
MIL-PRF-19500/555
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-39
Paket / Koffer
TO-205AF Metal Can
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
150-JANTX2N6790
JANTX2N6790-MIL
JANTX2N6790-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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